随着数字技术和材料科学的迅速发展,X射线数字辐射成像技术领域的研究取得了显著进展,其中的X射线计算机成像技术(CR)具有重复使用性能好、辐射剂量少、动态响应范围宽、影像质量高、图像信息量大、影像存储传输方便等优点,备受人们的关注[1]。CR系统由X射线机、成像板(Imaging Plate,IP)、图像处理器等部分组成。其成像原理是X射线透照物体后可在IP板上形成由色心(F心)构成的潜影,随后再利用激光扫描IP板获得荧光形式的信号,经数模变换成数字信号后,在计算机显示器上获得光学图像[2, 3, 4, 5]。由此可知,成像板是CR系统的关键元器件,是决定成像质量最关键的要素之一。
成像板是将X射线存储荧光粉与高分子胶黏剂混合后涂布在柔性支持体上干燥而成[6],X射线存储荧光粉是该系统的成像主体材料,目前多数商用IP板都是使用BaFX:Eu2+(X = Cl、Br、I)。由于BaFX晶体的光学各向异性及传统高温固相法制备的荧光粉颗粒大小及形貌不均一,从而导致IP板的成像分辨率不高[7, 8, 9]。为此,国内外该领域的研究集中于制备更优质的BaFX:Eu2+或寻找开发其它更优异的材料。与四方结构BaFX不同,Ba7F12Cl2是一种六方结构的碱土金属 氟氯化物,被认为是用于稀土离子掺杂制备存储荧光粉的优异基质材料[10, 11, 12, 13]。目前,报道有关合成Ba7F12Cl2的文献较少,主要采用高温固相法和高温水热制备方法[11, 14, 15, 16]。
本文以BaCl2、EuBr2、NaBF4为反应原料,以乙二胺四乙酸(EDTA)为辅助剂,在较低温度下实现了Ba7F12Cl2:Eu2+荧光粉的水热法合成,产物纯度高、结晶性能好,且具有良好的发光性能。通过X射线粉末衍射(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)、X射线能量损失谱 (EDS)、拉曼光谱(Raman)、荧光光谱(PL)等表征方法对制备的Ba7F12Cl2:Eu2+荧光粉进行了系统表征。
1 实验部分 1.1 试剂与仪器试剂:无水氯化钡(BaCl2,99.9 %)和EuBr2(99.99 %),Alfa Aesar公司;四氟硼酸钠 (NaBF4)、乙二胺四乙酸(EDTA)、无水乙醇和硝酸,北京北化试剂有限公司。以上试剂均为分析纯;实验用水均为去离子水。
仪器:采用X射线衍射仪对产物进行XRD物相结构分析,Cu Kα 辐射(40 kV,200 mA,λ=1.54056Å),扫描速度0.02 °/step;采用日立Hatachi S-4300型冷场场发射扫描电子显微镜(SEM)观察样品形貌,工作电压10 kV,测试前样品表面需溅射喷金,并通过X射线能谱仪附件表征样品的元素组成;采用InVia-Reflex型激光拉曼光谱仪表征样品的拉曼光谱(Raman),激光波长为532 nm;采用美国Varian公司Cary Eclipse型荧光光谱仪测定样品的激发光谱和发射光谱,在室温下直接测试,激发光源为120 W氙灯。
1.2 Ba7F12Cl2:Eu2+的制备准确称量1.456 g BaCl2和0.2184 g EuBr2溶解在40 mL水中形成溶液A;0.411 g NaBF4、和0.5844 g的乙二胺四乙酸(EDTA)溶解在40 mL水中形成溶液B。磁力搅拌下将B逐滴加入A中,超声20 min,将混合液转移至100 mL聚四氟乙烯高压釜,密封后于180 ℃烘箱恒温24 h后,自然冷却至室温,离心收集产物。用乙醇和水洗涤数次,60 ℃下真空干燥6 h,得白色粉末,再经400 ℃还原性气氛下退火1 h。
2 结果与讨论 2.1 产物的物相及晶体结构分析由图1可知,制备的Ba7F12Cl2:Eu2+所有衍射峰峰形尖锐,表明产物结晶性能好,同时与标准六方相Ba7F12Cl2的衍射图谱(ISCD Card No.410679)一致,并且没有出现杂质衍射峰,可知样品为Ba7F12Cl2,而且少量Eu2+离子掺杂未影响Ba7F12Cl2的晶体结构。
为了进一步确定其晶体结构及晶体学参数,采用Fullprof软件对Ba7F12Cl2:Eu2+的XRD图谱进行Rietveld精修,选择Pseudo-Voigt为峰形函数,精修顺序依次为比例因子、零点校正、背景参数、结构参数(晶胞参数、原子占位)、峰形参数等,并且根据精修结果反复依次调整各参数,最后拟合的置信因子、晶格参数及原子坐标参数如表1所示。由表1可知,Ba7F12Cl2:Eu2+的空间群为P4/nmm,晶格参数为a=b=10.6289(2)Å,c= 4.16698(6) Å,比标准六方相Ba7F12Cl2(ISCD Card No.410679) 的晶格参数 (a=b=10.6346 Å,c=4.1752 Å) 略小,这可能是由于Eu2+的离子半径(0.109 nm)比Ba2+ (0.135 nm )小,根据离子半径相近易取代原则及相关文献,初步推断Eu2+掺杂取代处于(0,0,0)位置的Ba2+,进入到Ba7F12Cl2的晶格之中,且少量Eu2+掺杂没有改变基质Ba7F12Cl2的晶型。
2.2 Raman光谱分析
图2为所制备Ba7F12Cl2:Eu2+样品的拉曼谱图。如图2所示,位于223 cm-1和253 cm-1的拉曼峰分别为F—Ba键的横向和纵向光学声子的振动模式;而位于125 cm-1、149 cm-1和195 cm-1的拉曼峰为Cl—Ba键的横向和纵向光学声子的振动模式,与文献报道的Ba7F12Cl2拉曼光谱相接近[15]。该结果也表明产物为Ba7F12Cl2,不含其它杂质,与XRD分析结果相一致。
图3为所制备Ba7F12Cl2:Eu2+样品的SEM照片。 由图3(A)可知,样品主要为均匀的六方棒状结构,平均长度500 nm,直径约300 nm。图3(B) 为高倍扫描电镜图。通过扫描电镜附带的X射线能量损失谱(EDS)分析可知(图4),样品只含有Ba、F、Cl、Eu这4种元素,其中Eu和Ba的原子比约为1.2∶23.0,图中碳元素来自于导电胶,Au元素来源于喷镀层。
当反应温度为 140 ℃和160 ℃时,产物XRD如图5(A)和5(B)所示。与标准图谱对比分析可知,产物为立方相BaF2。当不加入EDTA时,180 ℃水热处理24 h,产物的XRD如图5(C)所示,也为BaF2。
当加入2 mmol EDTA后,产物的XRD如图6所示。与标准图谱对比分析可知,产物为BaF2和Ba7F12Cl2的混合物。以立方相的BaF2(ISCD No. 64718)和六方相的Ba7F12Cl2(ISCD No. 410679)为结构模型,通过Fullprof软件对图谱进行Rietveld拟合精修定量分析,最终的置信因子为Rwp=3.74%,Rp=7.91%,Rexp=4.79%,Rf=3.44%,Bragg R=2.86%,BaF2和Ba7F12Cl2的质量比约为15.11∶84.89。扫描电镜如图7所示,产物为亚微米棒组成的花状结构,粒径约3 μm。而当EDTA量为4 mmol时,产物为单相Ba7F12Cl2,产物XRD如上述图1所示。同时,当EDTA用量为6 mmol时,产物与EDTA为4 mmol时相似。
综上,本文制备Ba7F12Cl2的理想条件为EDTA量为4 mmol,180 ℃水热处理24 h。
此外根据各项测试分析推测Ba7F12Cl2的形成过程如下:水热条件下,BF4-水解出大量的F-,当反应温度较低时,F-与Ba2+结合生成立方相BaF2;随着反应温度升高,大量Cl-离子和EDTA会吸附在BaF2晶体表面,促使BaF2晶体逐渐溶解,形成Ba7F12Cl2晶核;最后Ba7F12Cl2晶核经物理成熟及各向异性生长为亚微米棒状结构,当BaF2表面吸附的EDTA达到饱和,加入过量的EDTA对产物的物相和形貌影响不显著,准确的形成机制还需进一步研究。初步推断反应方程式如下:
BF4-+3H2O → 3HF+F-+H3BO3
Ba2++2F-→BaF2
7BaF2+2Cl-→Ba7F12Cl2+2F-
图8为制备的Ba7F12Cl2:Eu2+的荧光光谱图。在280 nm紫外光激发下,在400 nm处有一尖锐的发射峰,属于Eu2+的特征峰,对应于4f65d1→ 4f7电子能级跃迁。该Ba7F12Cl2:Eu2+的发射光谱与文献报道有较大差别[11, 13],这可能是由Eu2+所处的晶体场环境以及荧光粉组成差异所导致的。该荧光粉在紫外灯下呈蓝色,如图8的插图所示。当监测波长为400 nm时,掺杂Eu2+的样品有较宽的激发光谱,其中最强吸收峰280 nm,对应于Eu2+的4f7→ 4f65d1电子跃迁吸收,同时在250~350 nm观察到一些细小的毛刺峰,可能是由于Eu2+的 8 S 7/2 → 7FJ(J=0~6)电子跃迁吸收。而未掺杂Eu2+的Ba7F12Cl2在同样的测试条件下未检测到明显的发射峰和激发峰,如图8所示。由此可以推断,当Ba7F12Cl2:Eu2+受到280 nm光激发后,Eu2+的4f7基态能级电子跃迁至4f65d1激发态能级,再弛豫至4f65d1基态,最后跃迁回到4f7基态,发射出400 nm的荧光。
通过水热法,在较低温度下,以BaCl2、NaBF4、EuBr2为反应原料,采用EDTA为辅助剂成功制备了Ba7Cl12F2:Eu2+荧光粉。实验发现反应温度及EDTA的量对产物的物相和微晶形貌有显著影响。通过XRD、SEM、EDS、Raman和PL等表征手段,对产物进行了表征:XRD结果表明,产物为单相Ba7Cl12F2:Eu2+,Eu2+掺杂未改变基质的晶体结构;SEM和EDS分析表明,产物不含其它杂质元素,该Ba7Cl12F2:Eu2+颗粒为大小均匀的亚微米棒状结构;PL结果表明该Ba7F12Cl2:Eu2+最强发射峰位于400 nm,对应于Eu2+的特征峰。
综上,本文通过水热法制备了有较好发光性能的Ba7F12Cl2:Eu2+荧光粉,该材料是一种潜在优异的X射线存储荧光粉,可能应用于X射线成像板,提升其成像性能。后续的研究工作仍在进行。
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