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半导体纳米粒子在反胶束中的合成及其与芘分子间的跨相电子转移
- 臧泠, 刘春艳, 赵进才, 任新民, 沈涛, HISAO Hidaka
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1996, 14(4):
331-340.
DOI: 10.7517/j.issn.1674-0475.1996.04.331
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计量指标
本文在AOT/异辛烷反胶束中合成了CdS和ZnS半导体纳米粒子。粒子的荧光量子产率随胶束水含量的增大而减小。这可以归结为水含量增大导致胶粒表面Cd2+或Zn2+离子浓度降低,因为这两种离子在胶粒表面富集有利于形成硫空位,从而增大光生电子-空穴对的发光复合。研究发现,Ag+离子可以有效猝灭CdS和ZnS纳米粒子的荧光发射,该猝灭过程可以用Ag+离子在胶束中的Poisson分布来描述。以溶解在有机相中的pyrene作电子给体,在光激发下可以向CdS粒子注入电子,而和ZnS粒子间没有电荷转移发生,这可以解释为两种半导体的导带边相对于pyrene激发态氧化电位所处的位置不同。Cu2+或Ag+离子在ZnS颗粒表面吸附,可以形成CuxZn1-xS或Ag2xZn1-xS复合粒子,降低ZnS粒子的导带位置,从而使之能够接受来自pyrene激发态的电子。实验结果证实了这种论点。