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电化学沉积制备半导体CuInSe2薄膜
- 申承民, 张校刚, 力虎林
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2001, 19(1):
1-8.
DOI: 10.7517/j.issn.1674-0475.2001.01.1
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计量指标
本文报道恒电位法在pH为1.35的Cu2SO4、SeO2、In2(SO4)3溶液中,在Ti电极上电化学沉积制备CuInSe2纳米薄膜.研究络合剂柠檬酸和酒石酸对制备CuInSe2纳米薄膜的影响.扫描电子显微镜(SEM)结果表明,加入络合剂后,电化学沉积的薄膜表面颗粒分布更均匀、致密.X射线衍射(XRD)分析显示,制备的CuInSe2薄膜是黄铜矿和闪锌矿相的混和物,添加柠檬酸和酒石酸后,衍射峰增强,晶形变好.制备的薄膜颗粒尺寸大小在250nm左右,造成粒度增大的原因是由于颗粒的团聚作用.