摘要： 一维纳米材料因其特殊结构引起的新奇的物理和化学性质以及诱人的应用前景而备受关注.已经发展了多种制备一维纳米材料的方法,其中,模板法是一种制备纳米线阵列的常用方法,这种方法已经被成功地用于多种材料纳米线阵列的制备.金属离子辅助的溶液刻蚀方法可以在温和反应条件下大规模制备Si纳米线阵列,是一种重要的制备Si纳米线的手段.本论文用化学刻蚀方法得到的Si纳米线阵列作为模板和Si源,成功地制备出了多种硅化物的纳米线阵列,包括SiC、Mn27Si47和NiSi,对其结构进行了详细的表征,并在性能研究的基础上探索了其可能的应用.
