影像科学与光化学 ›› 2011, Vol. 29 ›› Issue (4): 317-317.DOI: 10.7517/j.issn.1674-0475.2011.04.317
方党旗, 张瑞勤, 张晓宏
FANG Dang-qi, ZHANG Rui-qin, ZHANG Xiao-hong
摘要: 化合物半导体纳米材料具有独特的结构特征和电子特征,如高表面体积比和尺寸效应等,因而成为纳米技术应用的基础.随着计算材料科学的快速发展,高级的电子结构计算理论能够解释和指导实验工作.本论文利用基于密度泛函理论的程序SIESTA和VASP,研究了表面吸附、缺陷、掺杂和外电场对化合物半导体纳米材料电子结构的调控作用及机理。