掺杂Eu2O3的SrTiO3及SnO2光致发光

doi:10.7517/j.issn.1674-0475.1992.01.66

影像科学与光化学 ›› 1992, Vol. 10 ›› Issue (1): 66-70.DOI: 10.7517/j.issn.1674-0475.1992.01.66

掺杂Eu₂O₃的SrTiO₃及SnO₂光致发光

毕只初¹, J. KOSSANYI², P. CÉNÉDÈSE³, A. QUIVY³

1. 中国科学院感光化学研究所, 北京 100101;
2. 法国国家科研中心分子材料实验室;
3. 法国国家科研中心化学冶金研究中心

收稿日期:1990-07-14 修回日期:1991-02-27 出版日期:1992-02-20 发布日期:1992-02-20
通讯作者: 毕只初

PHOTOLUMINESCENCE OF Eu₂O₃ DOPED SrTiO₃ AND SnO₂ POWDER

BI ZHI-CHU¹, J. KOSSANYI², P. CÉNÉDÈSE³, A. QUIVY³

1. Institute of Photographic Chemistry, Academia Sinica, Beijing 100101, P. K. China;
2. Laboratoire des Materiaux Molcculaircs, C. N. R. S., Prance;
3. Centre d’Etudes de Chimie Metallurgique, C. N. R. S., France

Received:1990-07-14 Revised:1991-02-27 Online:1992-02-20 Published:1992-02-20

摘要/Abstract

摘要： 用具有大能隙的本征半导体(SrTiO₃及SnO₂)粉末作本体,分别掺杂1%(原子百分数)的Eu₂O₃;所得物质表现出Eu³⁺离子的线发射光谱特性,但相对发光强度及光谱形状有相当大的变化。X射线衍射结构分析显示Eu³⁺在SrTiO₃晶格里是处在间隙位置,而它在SnO₂晶格里则形成新物相Eu₂Sn₂O₇。

关键词: 稀土氧化物, 大能隙半导体, 掺杂, 光致发光

Abstract: Powder of large energy gap semiconductor SrTiO₃ and SnO₂ has been doped with Eu₂O₃ (1 atom % of Eu) and their photoluminescent properties were investigated. It was found that the main behaviors of their emission are similar with that of pure Eu₂O₃ but the relative intensity and the emission pattern of the spectra is greatly changed. It was shown from X-ray powder diffraction analysis that the Eu³⁺ ion in 1% Eu doped SrTiO₃ is located at the interstitial site of the SrTiO₃ lattice and in 1% Eu doped SnO₂ is combined with SnO₂ to from Eu₂Sn₂O₇.

Key words: rare earth oxide, large energy gap semiconductor, doping, photolumine-scence

毕只初, J. KOSSANYI, P. CÉNÉDÈSE, A. QUIVY. 掺杂Eu₂O₃的SrTiO₃及SnO₂光致发光[J]. 影像科学与光化学, 1992, 10(1): 66-70.

BI ZHI-CHU, J. KOSSANYI, P. CÉNÉDÈSE, A. QUIVY. PHOTOLUMINESCENCE OF Eu₂O₃ DOPED SrTiO₃ AND SnO₂ POWDER[J]. Imaging Science and Photochemistry, 1992, 10(1): 66-70.

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掺杂Eu₂O₃的SrTiO₃及SnO₂光致发光

PHOTOLUMINESCENCE OF Eu₂O₃ DOPED SrTiO₃ AND SnO₂ POWDER

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