干法显影的电子束抗蚀剂——聚环己烯砜叠氮系

doi:10.7517/j.issn.1674-0475.1986.02.1

影像科学与光化学 ›› 1986, Vol. 4 ›› Issue (2): 1-6.DOI: 10.7517/j.issn.1674-0475.1986.02.1

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干法显影的电子束抗蚀剂——聚环己烯砜叠氮系

杨永源¹, 冯树京¹, 高志民¹, 电子束光刻组²

1. 中国科学院感光化学研究所;
2. 中国科学院半导体研究所

收稿日期:1985-03-26 修回日期:1985-12-23 出版日期:1986-05-20 发布日期:1986-05-20

DRY DEVELOPING ELECTRON BEAM RESIST——POLYCYCLOHEXENE-SULFONE AZIDES

YANG YONG-YUAN¹, FENG SHU-JING¹, GAO ZHI-MIN¹, RESEARCH GROUP OF ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY²

1. Institute of Photographic Chemistry, Academia jinica;
2. Institute of Semiconductor, Academia Sinica

Received:1985-03-26 Revised:1985-12-23 Online:1986-05-20 Published:1986-05-20

摘要/Abstract

摘要： 本文研究了用四氟化碳-氧等离子体进行干法显影的电子束刻蚀技术。负型电子束抗蚀剂是由聚环己烯砜和2,6-双-(4'-叠氮苯亚甲基)-4-甲基环己酮组成,其灵敏度为1.5×10^-5C/cm²,分辨率小于1μm,反差约1.43。并讨论了干法显影的影响因素和机理。

杨永源, 冯树京, 高志民, 电子束光刻组. 干法显影的电子束抗蚀剂——聚环己烯砜叠氮系[J]. 影像科学与光化学, 1986, 4(2): 1-6.

YANG YONG-YUAN, FENG SHU-JING, GAO ZHI-MIN, RESEARCH GROUP OF ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY. DRY DEVELOPING ELECTRON BEAM RESIST——POLYCYCLOHEXENE-SULFONE AZIDES[J]. Imaging Science and Photochemistry, 1986, 4(2): 1-6.

干法显影的电子束抗蚀剂——聚环己烯砜叠氮系

DRY DEVELOPING ELECTRON BEAM RESIST——POLYCYCLOHEXENE-SULFONE AZIDES

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