影像科学与光化学 ›› 1995, Vol. 13 ›› Issue (3): 214-219.DOI: 10.7517/j.issn.1674-0475.1995.03.214
尹峰, 林瑞峰, 李学萍, 肖绪瑞
YIN FENG, LIN RUI-FENG, LI XUE-PING, XIAO XU-RUI
摘要: 本文利用扫描遂道显微镜(STM)并辅以快速富立叶变换(FFT)和数据拟合等数学方法对电化学阳极氧化法制备的多孔硅(PS)的微结构及形貌进行了研究。同时研究了多孔硅的微结构与其发光性质和电化学性质的相互关系。研究表明,在其他条件不变情况下,随阳极氧化电流密度的增大,所形成的多孔硅的微孔向纵深延伸,多孔硅层增厚,微孔相连后形成的硅柱变细,发光强度增大,发光峰位明显蓝移,与单晶硅相比,多孔硅电极的平带电位明显负移,而电极电流在两极区内均增大。