发光多孔硅表面的STM研究

doi:10.7517/j.issn.1674-0475.1994.01.58

影像科学与光化学 ›› 1994, Vol. 12 ›› Issue (1): 58-61.DOI: 10.7517/j.issn.1674-0475.1994.01.58

发光多孔硅表面的STM研究

李学萍, 林瑞峰, 张振宗, 王维波, 刘尧, 肖绪瑞

中国科学院感光化学研究所, 光电化学研究中心, 北京 100101

收稿日期:1993-07-05 修回日期:1993-09-28 出版日期:1994-02-20 发布日期:1994-02-20
通讯作者: 李学萍

STM STUDY ON PHOTOLUMINESCENT POROUS SILICON SURRACE

LI XUE-PING, LIN RUI-FENG, ZHANG ZHEN-ZONG, WANG WEI-BUO, LIU YAO, XIAO XU-RUI

THe Center of Photo electrochemistry, Institute of Photographic Chemistry, Academia Sinia, Beijing 100101, P. R. China

Received:1993-07-05 Revised:1993-09-28 Online:1994-02-20 Published:1994-02-20

摘要/Abstract

摘要： 自从Canham首次报道了室温下多孔硅的光致发光现象以来^[1],多孔硅已成为半导体光电化学及材料领域内最为热门的研究课题^[2].

关键词: 扫描隧道显微镜, 多孔硅, 微结构

Abstract: The microstructure and morphology of photoluminescent porous silicon have beenstudied by using scanning tunneling microscope(STM).The changes of the sponge-likeporous structure observed on chemically etched silicon surface are quantitatively indicatedby the changes of the roughness parameters R_a,R_q,and R_y.The porous silicon formed bysimple chemcial etching,like the porous silicon produced anodically, can also emit visible luminescence at room temperature;and their emitting properties are closely related to theformation conditions.The results provide microstructure information for supporting the quantum coulinement effect as the luminescence mechanism.

Key words: scanning tunneling microscope, porous silicon, microstructure

李学萍, 林瑞峰, 张振宗, 王维波, 刘尧, 肖绪瑞. 发光多孔硅表面的STM研究[J]. 影像科学与光化学, 1994, 12(1): 58-61.

LI XUE-PING, LIN RUI-FENG, ZHANG ZHEN-ZONG, WANG WEI-BUO, LIU YAO, XIAO XU-RUI. STM STUDY ON PHOTOLUMINESCENT POROUS SILICON SURRACE[J]. Imaging Science and Photochemistry, 1994, 12(1): 58-61.

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发光多孔硅表面的STM研究

STM STUDY ON PHOTOLUMINESCENT POROUS SILICON SURRACE

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