热处理对电沉积制备CuInGaSe2薄膜的影响

doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2005.04.241

影像科学与光化学 ›› 2005, Vol. 23 ›› Issue (4): 241-246.DOI: 10.7517/j.issn.1674-0475.2005.04.241

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热处理对电沉积制备CuInGaSe₂薄膜的影响

李建庄, 赵修建, 夏冬林

武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室湖北武汉430070

收稿日期:2005-01-21 修回日期:2005-03-22 出版日期:2005-07-23 发布日期:2005-07-23
通讯作者: 赵修建,男,E-mail:opluse@mail whut.edu.cn,Tel: 027-87652553.

The Influence of Heat-Treatment on CuInGaSe₂ Thin Films by Electrodeposition

LI Jian-zhuang, ZHAO Xiu-jian, XIA Dong-Iin

Key Laboratory of State Education Ministry for Silicate Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, Hubei, P. R. China

Received:2005-01-21 Revised:2005-03-22 Online:2005-07-23 Published:2005-07-23

摘要/Abstract

摘要： CuInGaSe₂薄膜太阳能电池因具有稳定、高效、低成本和环保等特点而受到国内外科学家的重视.采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系,在钼/钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用的CuInGaSe₂薄膜.分析了不同热处理温度对电沉积制备的CuInGaSe₂薄膜的影响,结果表明:当热处理温度为450℃时,所制备的CuInGaSe₂薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀和致密性较好.

关键词: CuInGaSe₂, 薄膜, 热处理, 太阳能电池, 电沉积

Abstract: CuInGaSe₂ thin films solar cells have been drawn much attention due to their potential for the fabrication of low-cost, high-efficiency, and high stability. CuInGaSe₂ thin films were fabricated by electrodeposition, where the reference electrode was a saturated calomel electrode (SCE), the counter electrode was Pt gauze and the working electrode was a Mo/soda lime glass substrate. The influence of different heat-treatment temperature on the CuInGaSe₂ thin films was analyzed. The results indicate CuInGaSe₂ thin films by electrodeposition is near to the ideal stoichiometry and have chalcopyrite structure and uniform grain when the temperature is 450℃.

Key words: CuInGaSe₂, thin films, heat-treatment, solar cells, electrodeposition

中图分类号:

TM914

李建庄, 赵修建, 夏冬林. 热处理对电沉积制备CuInGaSe₂薄膜的影响[J]. 影像科学与光化学, 2005, 23(4): 241-246.

LI Jian-zhuang, ZHAO Xiu-jian, XIA Dong-Iin. The Influence of Heat-Treatment on CuInGaSe₂ Thin Films by Electrodeposition[J]. Imaging Science and Photochemistry, 2005, 23(4): 241-246.

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