CdSexTe1-x薄膜的光电化学研究

doi:10.7517/j.issn.1674-0475.1989.04.43

影像科学与光化学 ›› 1989, Vol. 7 ›› Issue (4): 43-49.DOI: 10.7517/j.issn.1674-0475.1989.04.43

CdSe_xTe_1-x薄膜的光电化学研究

肖绪瑞, 张志伟, 朱延宁

中国科学院感光化学研究所, 北京 100012

收稿日期:1988-05-23 修回日期:1988-10-20 出版日期:1989-11-20 发布日期:1989-11-20
通讯作者: 肖绪瑞

THE PHOTOELECTROCHEMICAL STUDIES OF CdSe_xTe_1-x THIN FILMS

XIAO XU-RUI, ZHANG ZHI-WEI, ZHU YAN-NING

Institute of Photographic Chemistry Academia Sinica, Beijing 100012, P.R. China

Received:1988-05-23 Revised:1988-10-20 Online:1989-11-20 Published:1989-11-20

摘要/Abstract

摘要： 用涂敷法制备了Cdse_xTe_1-x薄膜电极0.8>x>0.4,其组成和结构用X射线衍射及X射线荧光光谱进行分析。对薄膜电极的光电化学性能,转换效率,能隙与x的依赖关系进行了研究。通过烧结工艺的改进,获得光电转换效率高于12%的薄膜电极。

关键词: 光电化学电池, 薄膜电极, 三元化合物半导体, 转换效率

Abstract: CdSe_xTe_1-x thin films were prepared by painting method, in which x is in the range of 0.4-0.8. The films were characterized by X-ray diffraction and X-ray fluorescence spectrum. The dependence of photoelectrochemical behaviours, conversion efficiency and bandgap on x values were studied. Solar energy to electricity conversion efficiency exceeded 12% was obtained by optimizing the annealing process.

Key words: photoelectrochemical cells, thin film electrodes, ternary compound semiconductor, conversion efficiency

肖绪瑞, 张志伟, 朱延宁. CdSe_xTe_1-x薄膜的光电化学研究[J]. 影像科学与光化学, 1989, 7(4): 43-49.

XIAO XU-RUI, ZHANG ZHI-WEI, ZHU YAN-NING. THE PHOTOELECTROCHEMICAL STUDIES OF CdSe_xTe_1-x THIN FILMS[J]. Imaging Science and Photochemistry, 1989, 7(4): 43-49.

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