硅在HF溶液中阳极溶解的研究

doi:10.7517/j.issn.1674-0475.1997.01.80

影像科学与光化学 ›› 1997, Vol. 15 ›› Issue (1): 80-83.DOI: 10.7517/j.issn.1674-0475.1997.01.80

硅在HF溶液中阳极溶解的研究

尹峰, 李学萍, 肖绪瑞

中国科学院感光化学研究所, 光电化学中心, 北京100101

收稿日期:1996-06-12 修回日期:1996-09-02 出版日期:1997-02-20 发布日期:1997-02-20
通讯作者: 肖绪瑞
基金资助:
国家自然科学基金

A STUDY OF ANODIC DISSOLUTION OF SILICON IN HF SOLUTIONS

YIN Feng, LI Xueping, XIAO Xurui

The Center of Photoelectrochemistry, Institute of Photographic Chemistry, The Chinese Academy of Sciences, Beijing 100101, P. R. China

Received:1996-06-12 Revised:1996-09-02 Online:1997-02-20 Published:1997-02-20

摘要/Abstract

摘要： Uhlir及Turner早在50年代就已发现^[1,2],硅在HF溶液中阳极极化时,阳极电流大于某一特定值硅表面会发生电抛光反应,而低于这个值硅表面则会形成一层不同颜色的多孔硅层.1990年Canham发现多孔硅层在室温下有光致发光现象^[3],受到科学界的高度重视,在世界范围内掀起了研究多孔硅的热潮^[4].众多的研究表明,多孔硅的发光性能与其微孔的多少、大小和分布密切相关.但多孔硅要发展成为可实用的光电子材料,首先必须制备出微孔分布均匀,孔径及孔深可控的多孔硅材料.这就有必要弄清多孔硅的形成机理^[5],了解硅在HF溶液中的溶解过程及机理.为此,本文对不同掺杂浓度不同导电类型的(111)晶面单晶硅在HF溶液中的电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)特性进行了研究,并对这些特性进行了分析.

关键词: 多孔硅, 电流-电压特性, 电容-电压特性

Abstract: The current potential(I-V)and capacitance-potential(C-V)characterizations of p⁺, p^-, n⁺, and n^- silicon during the anodic dissolution in HF solutions were studied. There is a strong dependence of the silicon doping type and concentration on the anodic dissolution process of silicon in HF solutions. The rate of dissolution of silicon in HF solutions decreased in the order of p⁺>p^->n⁺>n^-.

Key words: porous silicon, current-potential characterizations, capacitance-potential characterizations

尹峰, 李学萍, 肖绪瑞. 硅在HF溶液中阳极溶解的研究[J]. 影像科学与光化学, 1997, 15(1): 80-83.

YIN Feng, LI Xueping, XIAO Xurui. A STUDY OF ANODIC DISSOLUTION OF SILICON IN HF SOLUTIONS[J]. Imaging Science and Photochemistry, 1997, 15(1): 80-83.

[1]	尹峰, 林瑞峰, 李学萍, 肖绪瑞. 用STM研究电化学阳极氧化制备的多孔硅[J]. 影像科学与光化学, 1995, 13(3): 214-219.
[2]	李学萍, 林瑞峰, 张振宗, 王维波, 刘尧, 肖绪瑞. 发光多孔硅表面的STM研究[J]. 影像科学与光化学, 1994, 12(1): 58-61.
[3]	李学萍, 张振宗, 王维波, 刘尧, 肖绪瑞. 发光多孔硅的光谱及电化学研究[J]. 影像科学与光化学, 1993, 11(3): 272-274.

硅在HF溶液中阳极溶解的研究

A STUDY OF ANODIC DISSOLUTION OF SILICON IN HF SOLUTIONS

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