用MO-CVD技术制备金属氧化物薄膜及其光电化学行为

doi:10.7517/j.issn.1674-0475.1988.01.59

影像科学与光化学 ›› 1988, Vol. 6 ›› Issue (1): 59-62.DOI: 10.7517/j.issn.1674-0475.1988.01.59

用MO-CVD技术制备金属氧化物薄膜及其光电化学行为

罗文秀, 淳于宝珠

山东大学化学系, 济南

收稿日期:1987-05-19 修回日期:1987-09-25 出版日期:1988-02-20 发布日期:1988-02-20

TH1N FILMS OF METAL OXIDES PREPARED BY MO-CVD TECHNIQUE AND THEIR PHOTOELECTROCHEMICAL PROPERTIES

LUO WEN-XIU, CHUN YU BAO-ZHU

Department of Chemistry, Shandong University, Jinan

Received:1987-05-19 Revised:1987-09-25 Online:1988-02-20 Published:1988-02-20

摘要/Abstract

摘要： 有机金属化学汽相沉积(MO-CVD)技术是一种新型薄膜材料制备技术,它优于目前通常采用的一般CVD和物理方法^[1]。主要优点:采用金属有机化合物为物质源,选择的范围比较大,其中含有易断裂的M-C键,易发生气相热分解氧化反应,成膜温度比较低,反应副产物仅有易挥发的碳氢化合物,使成膜环境无污染,易获得优质膜。因该技术是化学成膜,排除了物理方法中固有的不易控制化学计量的问题,易获得优质膜层。

关键词: 光电化学, MO-CVD技术, 氧化物薄膜

Abstract: Thin films of TiO₂, Fe₂O₃, ZnO were prepared by pyrolyzing (C₄H₂O₄Ti, Fe(C₂H₃)₂, and Zn(C₂H₅)₂ with the technique of Metallorganic Chemical .Vapor Deposition (MO-CVD). The structure of these films on p-type single crystal of silicon was analysed by X-ray diffraction measurement and high energy electron diffraction. The photoelectrochemical properties of these films on Si electrodes were studied. It was found that the photoresponse of the films was increased, and the rate of hydrogen evolution was increased also.

Key words: photoelectrochemistry, MO-CVD technique, thin film of metal oxide

罗文秀, 淳于宝珠. 用MO-CVD技术制备金属氧化物薄膜及其光电化学行为[J]. 影像科学与光化学, 1988, 6(1): 59-62.

LUO WEN-XIU, CHUN YU BAO-ZHU. TH1N FILMS OF METAL OXIDES PREPARED BY MO-CVD TECHNIQUE AND THEIR PHOTOELECTROCHEMICAL PROPERTIES[J]. Imaging Science and Photochemistry, 1988, 6(1): 59-62.

[1]	卢永斌, 辛芝娟, 刘思, 雷友嘉, 王红艳. 铜分子催化剂用于光电化学水氧化[J]. 影像科学与光化学, 2018, 36(1): 100-107.
[2]	武文俊, 郝彦忠. 聚3-甲基噻吩的光电化学研究[J]. 影像科学与光化学, 2004, 22(5): 378-382.
[3]	赵为, 侯原军, 张宝文, 曹怡, 萧绪瑞, 杨蓉. DOPANT EFFECTS OF SQUARYLIUM CYANINE DYES ON FUNCTIONAL DEVICES[J]. 影像科学与光化学, 1998, 16(2): 100-104.
[4]	姚建年. 氧化物半导体薄膜的光电效应及其应用[J]. 影像科学与光化学, 1997, 15(4): 363-370.
[5]	李果华, 李国昌. NiNb₂O₆半导体电极的能级结构和腐蚀机理研究[J]. 影像科学与光化学, 1994, 12(3): 207-213.
[6]	陈鸣波, 邓薰南, 尤金跨. 电沉积Cu_2xIn_2-2xSe₂薄膜的光电化学研究[J]. 影像科学与光化学, 1994, 12(2): 133-139.
[7]	何蓉, 孔维和, 董庆华. 硫化镉修饰电极的光电化学行为[J]. 影像科学与光化学, 1994, 12(1): 86-89.
[8]	董庆华. 半导体光催化[J]. 影像科学与光化学, 1993, 11(2): 76-81.
[9]	刘顺林, 钱道荪, 孙璧媃. n-CdSe/Fe(CN)₆^4-/3-光阳极上的光氧化竞争反应及用L-B技术修饰电极的影响[J]. 影像科学与光化学, 1990, 8(4): 284-290.
[10]	肖绪瑞, 张志伟, 朱延宁. CdSe_xTe_1-x薄膜的光电化学研究[J]. 影像科学与光化学, 1989, 7(4): 43-49.
[11]	高翠琴, 李家良, 王信发, 董庆华. 有机化合物表面光电压谱的研究[J]. 影像科学与光化学, 1989, 7(2): 75-79.
[12]	钱道荪, 孙立中, 孙璧媃. n-InP在Fe³⁺/Fe²⁺溶液中光脉冲暂态行为研究 Ⅱ.负载电阻及还原态浓度的影响[J]. 影像科学与光化学, 1989, 7(1): 47-52.
[13]	蔡生民, 童汝亭, 蒋殿禄, 金世勋. 氧化铁电极的半导体性能和光电化学 Ⅴ.烧结掺锌氧化铁电极的光电响应[J]. 影像科学与光化学, 1987, 5(3): 57-61.

用MO-CVD技术制备金属氧化物薄膜及其光电化学行为

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